据南华早报报谈，我国在高纯半绝缘碳化硅半导体时候上赢得进展，不错用在雷达中枢部件上。比如用在歼20雷达上，不错将雷达探伤距离提高三倍。于是一些东谈主就开动在聚集上说我国歼20宣战机的雷达探伤距离提高了三倍体育游戏app平台，达到了1000公里。关联词这一说法可能又是个乌龙事件，使用碳化硅材料可能不会有这样大的性能擢升。歼20的火控雷达咫尺使用的可能是氮化镓功率器件，其探伤距离可能在三、四百公里。关联词在军用雷达中接纳碳化硅功率器件的如故比拟稀疏的。这里提到的砷化镓、氮化镓、碳化硅齐是制造雷达功率器件和微波集成电路的半导体材料。第一代半导体材料是硅，第二代半导体材料是砷化镓体育游戏app平台，第三代半导体材料是碳化硅和氮化镓材料，而第四代半导体材料是氧化镓等材料。       在我国的雷达当中险些莫得据说有使用碳化硅功率器件的。反倒是在好意思国的军用雷达中有使用碳化硅功率器件的，比如好意思舟师预警机E-2D使用的预警雷达就使用了碳化硅功率器件。而好意思军主战雷达用的主要如故砷化镓雷达功率器件，比如咫尺F22使用的APG-77雷达和F35使用的APG-81雷达，使用的齐是砷化镓功率器件。好意思国的军用雷达当今正处在从砷化镓功率器件升级到氮化镓功率器件的进程中。比如F35将要升级到的APG-85雷达即是用使用氮化镓功率器件的。好意思国刚开动批量建立的阿利伯克3升天舰，其舰载雷达SPY-6用的亦然氮化镓功率器件。而我国海陆空全军的主战雷达早在2012年前后就也曾普及了氮化镓功率器件。也即是说在雷达功率器件时候上我国至少进步好意思国十年以上。       换句话说碳化硅和氮化镓是归并代半导体材料，齐不错行动雷达功率器件和半导体芯片的材料，关联词性能上各有各的时候上风。氮化镓禁带宽度更宽，电子迁徙率更高。碳化硅的耐高压、耐高温性能和散热性能更好。碳化硅禁带宽度为2.2eV，氮化镓为3.4eV。氮化镓电子迁徙率为650cm2/Vs，碳化硅为300~900cm2/Vs，氮化镓更符合高频期骗。碳化硅击穿电场强度为3×10V/cm，是氮化镓的3倍以上，更符合高电压场景。这两种材料齐不错用来作念雷达的半导体材料，关联词氮化镓的抽象性能更好。是以咫尺军用雷达绝大大量齐是用氮化镓的，使用碳化硅的很少。站在性能互补的角度，其实最理思的搭配是夹杂使用两种材料制作雷达芯片，用碳化硅行动衬底，而氮化镓则行动电路部分。这样不错充分发扬两种材料的性能上风。       这次山东大学赢得的时候后果很可能即是用在雷达芯片衬底上的高纯半绝缘碳化硅材料。在芯片衬底上使用碳化硅材料能提高芯片的责任温度，不错让芯片耐受更高的电压，从而提高芯片的性能。关联词说雷达探伤距离提高三倍这种说法是有许多疑窦的。因为雷达的探伤距离和辐照功率的四次方成正比。若是雷达探伤距离提高三倍，雷达的辐照功率需要提高到256倍。即使碳化硅的击穿电压是氮化硅的三倍，只是通过使用碳化硅材料也不大可能赢得如斯重大的性能擢升。况且这个探伤距离提高三倍的说法，其参考基准到底是什么也没诠释晰。是以山东大学宣传材料的说法可能是有问题的。而宣称歼20探伤距离能提高到1000公里很可能即是个乌龙事件。