【中微公司：发布六款半导体成就新产物】《科创板日报》4 日讯，中微公司 ( 688012.SH ) 公告称，中微公司近日推出六款半导体成就新产物，包括两款刻蚀成就和四款薄膜千里积成就。刻蚀成就方面，新一代极崇高宽比等离子体刻蚀成就 PrimoUD-RIE® 和专注于金属刻蚀的 PrimoMenova™12 寸 ICP 单腔刻蚀成就云开体育，旨在自在客户在极崇高宽比刻蚀和金属刻蚀限制的需求。薄膜千里积成就方面，包括三款原子层千里积产物和一款外延产物，如 PreformaUniflash® 金属栅系列和 PRIMIOEpita®RP 双腔减压外延成就。这些新产物展望将对公司将来半导体成就市集拓展和功绩成长性产生积极影响。新产物尚处于市集导入初期，存在市集实践和客户考证等风险，可能对公司收入和盈利带来不细目性。